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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori ponteMB6S-E3/45
MB6S-E3/45 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MB6S-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
MB6S-E3/45
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-MB6S-E3/45
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1P 600V TO269AA
Pacchetto
TO-269AA, 4-BESOP
Scheda dati
MB2S, MB4S & MB6S.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 242650

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MB6S-E3/45
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MB6S-E3/45, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MB6S-E3/45

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - Picco inversa (max) 600 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 400 mA  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TO-269AA (MBS)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-269AA, 4-BESOP  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 500 mA  
Numero di prodotto di base MB6  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0070

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB6S-E3/45

Proprietà del prodotto MB6S-E3/45 MB6M-E3/45 MB6S-TP MB6S-E3/80
Modello di prodotti MB6S-E3/45 MB6M-E3/45 MB6S-TP MB6S-E3/80
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Micro Commercial Co Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - raddrizzata media (Io) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tipo diodo Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Contenitore / involucro TO-269AA, 4-BESOP 4-DIP (0.200', 5.08mm) TO-269AA, 4-BESOP TO-269AA, 4-BESOP
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V
Numero di prodotto di base MB6 MB6 MB6 MB6
Contenitore dispositivo fornitore TO-269AA (MBS) MBM MBS-1 TO-269AA (MBS)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione - Picco inversa (max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 400 mA 1 V @ 400 mA 1 V @ 400 mA 1 V @ 400 mA

MB6S-E3/45 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MB6S-E3/45 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per MB6S-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Foglio dati HTML
MB2S, MB4S & MB6S.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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