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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloESH2PDHM3/84A
ESH2PDHM3/84A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ESH2PDHM3/84A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
ESH2PDHM3/84A
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-ESH2PDHM3/84A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-220AA
Scheda dati
ESH2P(B,C,D).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 241170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ESH2PDHM3/84A
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ESH2PDHM3/84A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ESH2PDHM3/84A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 980 mV @ 2 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-220AA (SMP)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®  
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-220AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 2A  
Capacità a Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base ESH2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PDHM3/84A

Proprietà del prodotto ESH2PDHM3/84A ESH3C-E3/57T ESH2PB-E3/84A ESH2PD-E3/84A
Modello di prodotti ESH2PDHM3/84A ESH3C-E3/57T ESH2PB-E3/84A ESH2PD-E3/84A
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 980 mV @ 2 A 900 mV @ 3 A 980 mV @ 2 A 980 mV @ 2 A
Numero di prodotto di base ESH2 ESH3 ESH2 ESH2
Contenitore dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) DO-214AB (SMC) DO-220AA (SMP) DO-220AA (SMP)
Contenitore / involucro DO-220AA DO-214AB, SMC DO-220AA DO-220AA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 150 V 100 V 200 V
Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® - eSMP® eSMP®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - raddrizzata media (Io) 2A 3A 2A 2A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 200 V 5 µA @ 150 V 1 µA @ 100 V 1 µA @ 200 V
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns 40 ns 25 ns 25 ns
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
Capacità a Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz - 25pF @ 4V, 1MHz 25pF @ 4V, 1MHz

ESH2PDHM3/84A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ESH2PDHM3/84A PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per ESH2PDHM3/84A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
ESH2P(B,C,D).pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 28/Apr/2023.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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