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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloES1DHE3/5AT
ES1DHE3/5AT Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ES1DHE3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
ES1DHE3/5AT
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-ES1DHE3/5AT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-214AC, SMA
Scheda dati
ES1A thru ES1D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ES1DHE3/5AT
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES1DHE3/5AT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES1DHE3/5AT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-214AC (SMA)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-214AC, SMA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A  
Capacità a Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base ES1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1DHE3/5AT

Proprietà del prodotto ES1DHE3/5AT ES1DL RVG ES1DHE3/61T ES1DHE3_A/H
Modello di prodotti ES1DHE3/5AT ES1DL RVG ES1DHE3/61T ES1DHE3_A/H
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division TSC (Taiwan Semiconductor) Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tecnologia Standard - Standard Standard
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery = 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 1 A 950mV @ 1A 920 mV @ 1 A 920 mV @ 1 A
Contenitore / involucro DO-214AC, SMA DO-219AB DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 200V 200 V 200 V
Capacità a Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Contenitore dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Sub SMA DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 200 V 5µA @ 200V 5 µA @ 200 V 5 µA @ 200 V
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns 35ns 25 ns 25 ns
Numero di prodotto di base ES1 - ES1 ES1
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A 1A 1A 1A

ES1DHE3/5AT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ES1DHE3/5AT PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per ES1DHE3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
ES1A thru ES1D.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
DD-026-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-ES1DHE3/5AT

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