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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloES07B-GS18
ES07B-GS18 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ES07B-GS18 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
ES07B-GS18
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-ES07B-GS18
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-219AB
Scheda dati
ES07B/D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 354190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ES07B-GS18
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES07B-GS18, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES07B-GS18

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 980 mV @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-219AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1.2A  
Capacità a Vr, F 4pF @ 4V, 50MHz  
Numero di prodotto di base ES07  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07B-GS18

Proprietà del prodotto ES07B-GS18 ES07D-GS08 ES07D-M-08 ES07B-GS08
Modello di prodotti ES07B-GS18 ES07D-GS08 ES07D-M-08 ES07B-GS08
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro DO-219AB DO-219AB DO-219AB DO-219AB
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 200 V 200 V 100 V
Corrente - raddrizzata media (Io) 1.2A 500mA 500mA 500mA
Capacità a Vr, F 4pF @ 4V, 50MHz 4pF @ 4V, 50MHz 4pF @ 4V, 1MHz 4pF @ 4V, 1MHz
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 980 mV @ 1 A 980 mV @ 1 A 980 mV @ 1 A 980 mV @ 1 A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF)
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base ES07 ES07 ES07 ES07
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V 10 µA @ 200 V 10 µA @ 200 V 10 µA @ 100 V

ES07B-GS18 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ES07B-GS18 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per ES07B-GS18 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Schede tecniche
ES07B/D.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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