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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-Zener-singoloBZD27B150P-HE3-08
BZD27B150P-HE3-08 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BZD27B150P-HE3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
BZD27B150P-HE3-08
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-BZD27B150P-HE3-08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ZENER 150V 800MW DO219AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-219AB
Scheda dati
BZD27B Series.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 257390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BZD27B150P-HE3-08
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27B150P-HE3-08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27B150P-HE3-08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - Zener (Nom) (Vz) 150 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 200 mA  
Tolleranza -  
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)  
Serie Automotive, AEC-Q101, BZD27B  
Potenza - Max 800 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-219AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Impedenza (Max) (zzt) 300 Ohms  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 110 V  
Numero di prodotto di base BZD27B150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B150P-HE3-08

Proprietà del prodotto BZD27B150P-HE3-08 BZD27C100P BZD27B47P-M3-08 BZD27B110P-M3-08
Modello di prodotti BZD27B150P-HE3-08 BZD27C100P BZD27B47P-M3-08 BZD27B110P-M3-08
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 110 V 1 µA @ 75 V 1 µA @ 36 V 1 µA @ 82 V
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Serie Automotive, AEC-Q101, BZD27B - BZD27B-M BZD27B-M
Tolleranza - ±6% - -
Contenitore dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) Sub SMA DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF)
Numero di prodotto di base BZD27B150 BZD27 BZD27B47 BZD27B110
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Impedenza (Max) (zzt) 300 Ohms 200 Ohms 45 Ohms 250 Ohms
Potenza - Max 800 mW 1 W 800 mW 800 mW
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA
Contenitore / involucro DO-219AB SOD-123 DO-219AB DO-219AB
Tensione - Zener (Nom) (Vz) 150 V 100 V 47 V 110 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BZD27B150P-HE3-08 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BZD27B150P-HE3-08 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per BZD27B150P-HE3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 27/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
BZD27B Series.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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