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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori ponteBU1008-E3/45
BU1008-E3/45 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BU1008-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
BU1008-E3/45
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-BU1008-E3/45
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1P 800V 3.2A BU
Pacchetto
4-SIP, BU
Scheda dati
BU1006-1010.pdf
BU1006-1010.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 23031

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche BU1008-E3/45
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BU1008-E3/45, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BU1008-E3/45

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - Picco inversa (max) 800 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.05 V @ 5 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore isoCINK+™ BU  
Serie -  
Contenitore / involucro 4-SIP, BU  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 3.2 A  
Numero di prodotto di base BU1008  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1008-E3/45

Proprietà del prodotto BU1008-E3/45 BU10065S-E3/45 BU1006-E3/45 BU1008A-E3/45
Modello di prodotti BU1008-E3/45 BU10065S-E3/45 BU1006-E3/45 BU1008A-E3/45
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie - isoCink+™ - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 3.2 A 3.2 A 3.2 A 3 A
Contenitore dispositivo fornitore isoCINK+™ BU isoCINK+™ BU-5S isoCINK+™ BU isoCINK+™ BU
Numero di prodotto di base BU1008 BU10065 BU1006 BU1008
Contenitore / involucro 4-SIP, BU 4-SIP, BU-5S 4-SIP, BU 4-SIP, BU
Tipo diodo Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - Picco inversa (max) 800 V 600 V 600 V 800 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.05 V @ 5 A 1.05 V @ 5 A 1.05 V @ 5 A 1.1 V @ 5 A
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V 10 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 800 V

BU1008-E3/45 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BU1008-E3/45 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per BU1008-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Plating House 25/Jan/2019.pdf
Foglio dati HTML
BU1006-1010.pdf
Schede tecniche
BU1006-1010.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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