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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo8EWS08STRR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

8EWS08STRR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
8EWS08STRR
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-8EWS08STRR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
8EWSxxS.pdf
In magazzino: 4600

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 8EWS08STRR
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8EWS08STRR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8EWS08STRR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 8 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 800 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA)  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 800 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 8EWS08  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8EWS08STRR

Proprietà del prodotto 8EWS08STRR 8EWS12S 8EWS08STR 8EWS10S
Modello di prodotti 8EWS08STRR 8EWS12S 8EWS08STR 8EWS10S
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 800 V 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 800 V 50 µA @ 1000 V
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione - inversa (Vr) (max) 800 V 1200 V 800 V 1000 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A 8A 8A 8A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Capacità a Vr, F - - - -
Numero di prodotto di base 8EWS08 8EWS12 8EWS08 8EWS10
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 8 A 1.1 V @ 8 A 1.1 V @ 8 A 1.1 V @ 8 A
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA)

8EWS08STRR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 8EWS08STRR PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 8EWS08STRR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
8EWSxxS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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