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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo8EWF10S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

8EWF10S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
8EWF10S
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-8EWF10S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
8EWFzzS Series, 1000 to 1200V.pdf
In magazzino: 5340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 8EWF10S
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8EWF10S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8EWF10S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 8 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1000 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 270 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1000 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 8EWF10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8EWF10S

Proprietà del prodotto 8EWF10S 8EWF06STRL 8EWF12S 8EWF10STRL
Modello di prodotti 8EWF10S 8EWF06STRL 8EWF12S 8EWF10STRL
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numero di prodotto di base 8EWF10 8EWF06 8EWF12 8EWF10
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA)
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 8 A 1.2 V @ 8 A 1.3 V @ 8 A 1.3 V @ 8 A
Tempo di ripristino inverso (trr) 270 ns 140 ns 270 ns 270 ns
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1000 V 100 µA @ 600 V 100 µA @ 1200 V 100 µA @ 1000 V
Capacità a Vr, F - - - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A 8A 8A 8A
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - inversa (Vr) (max) 1000 V 600 V 1200 V 1000 V

8EWF10S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 8EWF10S PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 8EWF10S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
8EWFzzS Series, 1000 to 1200V.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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