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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduli50MT060WH
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

50MT060WH - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
50MT060WH
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-50MT060WH
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP
Pacchetto
12-MTP Module
Scheda dati
50MT060WH.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4130

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 50MT060WH
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 50MT060WH, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 50MT060WH

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3.2V @ 15V, 100A  
Contenitore dispositivo fornitore 12-MTP  
Serie -  
Potenza - Max 658 W  
Contenitore / involucro 12-MTP Module  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Termistore NTC No  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.1 nF @ 30 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT PT  
Corrente - Cutoff collettore (max) 400 µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 114 A  
Configurazione Half Bridge  
Numero di prodotto di base 50MT060  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50MT060WH

Proprietà del prodotto 50MT060WH MUBW40-12T7 MWI50-12A7 FD600R06ME3_B11_S2
Modello di prodotti 50MT060WH MUBW40-12T7 MWI50-12A7 FD600R06ME3_B11_S2
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS IXYS Infineon Technologies
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 1200 V 1200 V 600 V
Ingresso Standard Three Phase Bridge Rectifier Standard Standard
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3.2V @ 15V, 100A 2.6V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 50A 1.6V @ 15V, 600A
Serie - - - EconoDUAL™ 3
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.1 nF @ 30 V 2.5 nF @ 25 V 3.3 nF @ 25 V 60 nF @ 25 V
Contenitore / involucro 12-MTP Module E2 E2 Module
Termistore NTC No Yes No Yes
Corrente - Cutoff collettore (max) 400 µA 1.75 mA 4 mA 5 mA
Potenza - Max 658 W 220 W 350 W 2250 W
Numero di prodotto di base 50MT060 MUBW40 MWI50 FD600R06
Tipo IGBT PT Trench NPT Trench Field Stop
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Configurazione Half Bridge Three Phase Inverter with Brake Three Phase Inverter Single Chopper
Corrente - collettore (Ic) (max) 114 A 62 A 85 A 600 A
Contenitore dispositivo fornitore 12-MTP E2 E2 Module

50MT060WH Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 50MT060WH PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 50MT060WH - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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