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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo243NQ080
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

243NQ080 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
243NQ080
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-243NQ080
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 80V 240A D-67
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D-67 HALF-PAK
Scheda dati
243NQ, R Series.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 243NQ080
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 243NQ080, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 243NQ080

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 860 mV @ 240 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore D-67 HALF-PAK  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro D-67 HALF-PAK  
Pacchetto Bulk  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 6 mA @ 80 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 240A  
Capacità a Vr, F 5500pF @ 5V, 1MHz  
Numero di prodotto di base 243NQ080  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 243NQ080

Proprietà del prodotto 243NQ080 DSEI120-06A 1N5811US APT30SCD65B
Modello di prodotti 243NQ080 DSEI120-06A 1N5811US APT30SCD65B
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS Microchip Technology Microsemi Corporation
Numero di prodotto di base 243NQ080 DSEI120 1N5811 -
Contenitore / involucro D-67 HALF-PAK TO-247-2 SQ-MELF, B TO-247-2
Pacchetto Bulk Tube Bulk Bulk
Corrente - raddrizzata media (Io) 240A 77A 3A 46A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 6 mA @ 80 V 3 mA @ 600 V 5 µA @ 50 V 600 µA @ 650 V
Contenitore dispositivo fornitore D-67 HALF-PAK TO-247AD B, SQ-MELF TO-247
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V 600 V 150 V 650 V
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie - FRED - -
Capacità a Vr, F 5500pF @ 5V, 1MHz - 60pF @ 10V, 1MHz 945pF @ 1V, 1MHz
Tecnologia Schottky Standard Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 860 mV @ 240 A 1.3 V @ 70 A 875 mV @ 4 A 1.8 V @ 30 A

243NQ080 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 243NQ080 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 243NQ080 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
243NQ, R Series.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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