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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-Zener-singolo1N4750A-TAP
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

1N4750A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
1N4750A-TAP
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-1N4750A-TAP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ZENER 27V 1.3W DO41
Pacchetto
DO-204AL, DO-41, Axial
Scheda dati
1N4728A thru 1N4764A.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 514650

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N4750A-TAP
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4750A-TAP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4750A-TAP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - Zener (Nom) (Vz) 27 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 200 mA  
Tolleranza ±5%  
Contenitore dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Potenza - Max 1.3 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-204AL, DO-41, Axial  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Impedenza (Max) (zzt) 35 Ohms  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 20.6 V  
Numero di prodotto di base 1N4750  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4750A-TAP

Proprietà del prodotto 1N4750A-TAP 1N4751A 1N4750A-TR 1N4750A
Modello di prodotti 1N4750A-TAP 1N4751A 1N4750A-TR 1N4750A
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology
Contenitore dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) DO-41 DO-204AL (DO-41) DO-41
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -65°C ~ 200°C 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 20.6 V 5 µA @ 22.8 V 5 µA @ 20.6 V 5 µA @ 20.6 V
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 -
Tolleranza ±5% ±5% ±5% ±5%
Pacchetto Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Potenza - Max 1.3 W 1 W 1.3 W 1 W
Numero di prodotto di base 1N4750 1N4751 1N4750 -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 200 mA - 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA
Tensione - Zener (Nom) (Vz) 27 V 30 V 27 V 27 V
Contenitore / involucro DO-204AL, DO-41, Axial DO-204AL, DO-41, Axial DO-204AL, DO-41, Axial DO-204AL, DO041, Axial
Impedenza (Max) (zzt) 35 Ohms 40 Ohms 35 Ohms 35 Ohms

1N4750A-TAP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N4750A-TAP PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 1N4750A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Wafer Source 12/Nov/2021.pdf
Schede tecniche
1N4728A thru 1N4764A.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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1N4750A-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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