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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N4151TR
1N4151TR Image
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1N4151TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
1N4151TR
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-1N4151TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-204AH, DO-35, Axial
Scheda dati
1N4151.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1273350

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N4151TR
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4151TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4151TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 50 mA  
Tensione - inversa (Vr) (max) 75 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-35 (DO-204AH)  
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 4 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-204AH, DO-35, Axial  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 nA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 150mA  
Capacità a Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz  
Numero di prodotto di base 1N4151  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151TR

Proprietà del prodotto 1N4151TR 1N4151 1N4151TR 1N4151
Modello di prodotti 1N4151TR 1N4151 1N4151TR 1N4151
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Fairchild Semiconductor Diotec Semiconductor
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial
Tensione - inversa (Vr) (max) 75 V 75 V 75 V 50 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Box
Capacità a Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz - 2pF @ 0V, 1MHz 4pF @ 0V, 1MHz
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) -65°C ~ 150°C 175°C (Max) -50°C ~ 175°C
Serie - - - -
Tempo di ripristino inverso (trr) 4 ns 2 ns 4 ns 4 ns
Contenitore dispositivo fornitore DO-35 (DO-204AH) DO-35 DO-35 (DO-204AH) DO-35
Corrente - raddrizzata media (Io) 150mA 200mA 150mA 200mA
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 nA @ 50 V 50 nA @ 50 V 50 nA @ 50 V 50 nA @ 50 V
Numero di prodotto di base 1N4151 1N4151 - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 50 mA 1 V @ 50 mA 1 V @ 50 mA 1 V @ 50 mA

1N4151TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N4151TR PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 1N4151TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
1N4151.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-1N4151TR

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