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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TPN1110ENH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TPN1110ENH,L1Q
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TPN1110ENH,L1Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
TPN1110ENH,L1Q.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 60230

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TPN1110ENH,L1Q
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.1x3.1)  
Serie U-MOSVIII-H  
Rds On (max) a Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 39W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base TPN1110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q

Proprietà del prodotto TPN1110ENH,L1Q TPN2R703NL,L1Q TPN2R203NC,L1Q TPN2R003NC,L1APQ
Modello di prodotti TPN1110ENH,L1Q TPN2R703NL,L1Q TPN2R203NC,L1Q TPN2R003NC,L1APQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 200µA 2.3V @ 300µA 2.3V @ 500µA -
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 30 V 30 V -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base TPN1110 TPN2R703 TPN2R203 -
Rds On (max) a Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V 2.7mOhm @ 22.5A, 10V 2.2mOhm @ 22.5A, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta) 45A (Tc) 45A (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V -
Serie U-MOSVIII-H U-MOSVIII-H U-MOSVIII -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 100 V 2100 pF @ 15 V 2230 pF @ 15 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 39W (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) -

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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