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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTPCF8107,LF
TPCF8107,LF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TPCF8107,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TPCF8107,LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TPCF8107,LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
TPCF8107.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 3760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TPCF8107,LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 100µA  
Vgs (Max) +20V, -25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore VS-8 (2.9x1.5)  
Serie U-MOSVI  
Rds On (max) a Id, Vgs 28 mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
imballaggio Cut Tape (CT)  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Altri nomi TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
 
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF

Proprietà del prodotto TPCF8107,LF TPCF8108LF TPCF8108 TPCF8108(TE85L,F,M)
Modello di prodotti TPCF8107,LF TPCF8108LF TPCF8108 TPCF8108(TE85L,F,M)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TOSHIBA/TUBE TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 10V - - -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 100µA - - -
Contenitore dispositivo fornitore VS-8 (2.9x1.5) - - -
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead - - -
Altri nomi TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
- - -
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
imballaggio Cut Tape (CT) - - -
Vgs (Max) +20V, -25V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel - - -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 28 mOhm @ 3A, 10V - - -
Serie U-MOSVI - - -

TPCF8107,LF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TPCF8107,LF PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per TPCF8107,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

Specifiche
TPCF8107.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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