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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTPCC8093,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TPCC8093,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TPCC8093,L1Q
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TPCC8093,L1Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
TPCC8093,L1Q.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 5440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TPCC8093,L1Q
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8093,L1Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8093,L1Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 500µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.1x3.1)  
Serie U-MOSVII  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 30W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta)  
Numero di prodotto di base TPCC8093  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093,L1Q

Proprietà del prodotto TPCC8093,L1Q TPCC8103(TE12L,QM) TPCC8076-H TPCC8074-H
Modello di prodotti TPCC8093,L1Q TPCC8103(TE12L,QM) TPCC8076-H TPCC8074-H
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V 12 mOhm @ 9A, 10V - -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 500µA 2V @ 1mA - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta) 18A (Ta) - -
Serie U-MOSVII U-MOSV - -
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 30W (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) - -
Numero di prodotto di base TPCC8093 - - -
Vgs (Max) ±12V ±20V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 10 V 1600pF @ 10V - -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4V, 10V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tipo FET N-Channel P-Channel - -
temperatura di esercizio 150°C 150°C (TJ) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 38nC @ 10V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30V - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.3x3.3) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -

TPCC8093,L1Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TPCC8093,L1Q PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per TPCC8093,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage.

PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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