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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTPC6104(TE85L,F,M)
TPC6104(TE85L,F,M) Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TPC6104(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TPC6104(TE85L,F,M)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TPC6104(TE85L,F,M)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
In magazzino: 5160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TPC6104(TE85L,F,M)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6104(TE85L,F,M), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6104(TE85L,F,M)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore VS-6 (2.9x2.8)  
Serie U-MOSIII  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base TPC6104  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104(TE85L,F,M)

Proprietà del prodotto TPC6104(TE85L,F,M) TPC6103(TE85L,F,M) TPC6104(TE85LF) TPC6107
Modello di prodotti TPC6104(TE85L,F,M) TPC6103(TE85L,F,M) TPC6104(TE85LF) TPC6107
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TOS TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 5 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore VS-6 (2.9x2.8) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 10 V - - -
Numero di prodotto di base TPC6104 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 2.8A, 4.5V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Vgs (Max) ±8V - - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) - - -
Tipo FET P-Channel - - -
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Serie U-MOSIII - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA - - -

TPC6104(TE85L,F,M) Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TPC6104(TE85L,F,M) PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per TPC6104(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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