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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTK16A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TK16A55D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TK16A55D(STA4,Q,M)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TK16A55D(STA4,Q,M)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 5200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TK16A55D(STA4,Q,M)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TK16A55D(STA4,Q,M), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TK16A55D(STA4,Q,M)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS  
Serie π-MOSVII  
Rds On (max) a Id, Vgs 330mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 550 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Numero di prodotto di base TK16A55  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D(STA4,Q,M)

Proprietà del prodotto TK16A55D(STA4,Q,M) TK16A60W,S4VX TK16A55D K16A55D TK16111MTL
Modello di prodotti TK16A55D(STA4,Q,M) TK16A60W,S4VX TK16A55D K16A55D TK16111MTL
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Murata Electronics
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 1350 pF @ 300 V - -
Tensione drain-source (Vdss) 550 V 600 V - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack - -
Serie π-MOSVII DTMOSIV - -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 3.7V @ 790µA - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Dissipazione di potenza (max) - 40W (Tc) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS TO-220SIS - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 15.8A (Ta) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 330mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 7.9A, 10V - -
Pacchetto Tube Tube - -
Numero di prodotto di base TK16A55 TK16A60 - -

TK16A55D(STA4,Q,M) Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TK16A55D(STA4,Q,M) PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per TK16A55D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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