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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TK10V60W,LVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TK10V60W,LVQ
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TK10V60W,LVQ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-VSFN Exposed Pad
Scheda dati
TK10V60W,LVQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18576

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TK10V60W,LVQ
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TK10V60W,LVQ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TK10V60W,LVQ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 500µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 4-DFN-EP (8x8)  
Serie DTMOSIV  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 88.3W (Tc)  
Contenitore / involucro 4-VSFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 300 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base TK10V60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ

Proprietà del prodotto TK10V60W,LVQ TK11041M-1TL TK10Q60WS1VQ TK10P60W.RVQ(S)
Modello di prodotti TK10V60W,LVQ TK11041M-1TL TK10Q60WS1VQ TK10P60W.RVQ(S)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Murata Electronics TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 500µA - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta) - - -
Contenitore dispositivo fornitore 4-DFN-EP (8x8) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 300 V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Tensione drain-source (Vdss) 600 V - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V - - -
Dissipazione di potenza (max) 88.3W (Tc) - - -
Contenitore / involucro 4-VSFN Exposed Pad - - -
Serie DTMOSIV - - -
Numero di prodotto di base TK10V60 - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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