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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSSM6P36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM6P36FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM6P36FE,LM
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM6P36FE,LM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 103020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM6P36FE,LM
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6P36FE,LM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6P36FE,LM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ES6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V  
Potenza - Max 150mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 330mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SSM6P36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE,LM

Proprietà del prodotto SSM6P36FE,LM SSM6P28TU SSM6P25TU,LF SSM6P47NU
Modello di prodotti SSM6P36FE,LM SSM6P28TU SSM6P25TU,LF SSM6P47NU
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Potenza - Max 150mW - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 - - -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 330mA - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4V - - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore ES6 - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V - - -
Numero di prodotto di base SSM6P36 - - -

SSM6P36FE,LM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM6P36FE,LM PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM6P36FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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