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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSSM6L36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM6L36FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM6L36FE,LM
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM6L36FE,LM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 415350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM6L36FE,LM
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L36FE,LM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L36FE,LM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ES6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 630mOhm @ 200mA, 5V  
Potenza - Max 150mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA, 330mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SSM6L36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE,LM

Proprietà del prodotto SSM6L36FE,LM SSM6L35FE,LM SSM6L36TU SSM6L39TU
Modello di prodotti SSM6L36FE,LM SSM6L35FE,LM SSM6L36TU SSM6L39TU
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Potenza - Max 150mW 150mW - -
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 630mOhm @ 200mA, 5V 3Ohm @ 50mA, 4V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V - - -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - -
Numero di prodotto di base SSM6L36 SSM6L35 - -
Contenitore dispositivo fornitore ES6 ES6 - -
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V 9.5pF @ 3V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA, 330mA 180mA, 100mA - -

SSM6L36FE,LM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM6L36FE,LM PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM6L36FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage.

Packaging PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf
Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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