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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSM3K7002BSU,LF
SSM3K7002BSU,LF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM3K7002BSU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM3K7002BSU,LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM3K7002BSU,LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
SSM3K7002BSU.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 5050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM3K7002BSU,LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K7002BSU,LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K7002BSU,LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 3.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore USM  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SSM3K7002  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU,LF

Proprietà del prodotto SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BS,LF SSM3K7002FU SSM3K7002BSU
Modello di prodotti SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BS,LF SSM3K7002FU SSM3K7002BSU
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V 2.1Ohm @ 500mA, 10V - -
Numero di prodotto di base SSM3K7002 SSM3K7002 - -
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Vgs (th) (max) a Id 3.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - -
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) 200mW (Ta) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Contenitore dispositivo fornitore USM S-Mini - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17 pF @ 25 V 17 pF @ 25 V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -

SSM3K7002BSU,LF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM3K7002BSU,LF PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM3K7002BSU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf SSM3K7002BSU.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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