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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSM3K37MFV,L3F
SSM3K37MFV,L3F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM3K37MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM3K37MFV,L3F
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM3K37MFV,L3F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-723
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 879450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM3K37MFV,L3F
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K37MFV,L3F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K37MFV,L3F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore VESM  
Serie U-MOSIII  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-723  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SSM3K37  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV,L3F

Proprietà del prodotto SSM3K37MFV,L3F SSM3K37FS,LF SSM3K43FS(T5L,F,T) SSM3K37MFV MOS
Modello di prodotti SSM3K37MFV,L3F SSM3K37FS,LF SSM3K43FS(T5L,F,T) SSM3K37MFV MOS
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Contenitore dispositivo fornitore VESM SSM - -
Serie U-MOSIII U-MOSIII - -
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V 12 pF @ 10 V - -
Contenitore / involucro SOT-723 SC-75, SOT-416 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) 100mW (Ta) - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - -
Numero di prodotto di base SSM3K37 SSM3K37 - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TA) - -

SSM3K37MFV,L3F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM3K37MFV,L3F PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM3K37MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage.

Packaging PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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