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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSM3K324R,LF
SSM3K324R,LF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM3K324R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM3K324R,LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM3K324R,LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-3 Flat Leads
Scheda dati
SSM3K324R,LF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 479850

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM3K324R,LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K324R,LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K324R,LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23F  
Serie U-MOSVII-H  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-3 Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 30 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Numero di prodotto di base SSM3K324  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R,LF

Proprietà del prodotto SSM3K324R,LF SSM3K318T,LF SSM3K324R SSM3K324R.LF
Modello di prodotti SSM3K324R,LF SSM3K318T,LF SSM3K324R SSM3K324R.LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TSOHIBA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 2.5A (Ta) - -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23F TSM - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V - -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 700mW (Ta) - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V 107 mOhm @ 2A, 10V - -
Serie U-MOSVII-H U-MOSIV - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Numero di prodotto di base SSM3K324 - - -
Contenitore / involucro SOT-23-3 Flat Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 30 V 235pF @ 30V - -
Vgs (Max) ±12V ±20V - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60V - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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