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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSM3J14TTE85LF
SSM3J14TTE85LF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM3J14TTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM3J14TTE85LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM3J14TTE85LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
SSM3J14TTE85LF.pdf
In magazzino: 5090

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM3J14TTE85LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J14TTE85LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J14TTE85LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSM  
Serie U-MOSII  
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 15 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base SSM3J14  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF

Proprietà del prodotto SSM3J14TTE85LF SSM3J14T MOS SSM3J15F SSM3J15F(TE85L)
Modello di prodotti SSM3J14TTE85LF SSM3J14T MOS SSM3J15F SSM3J15F(TE85L)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V - - -
Tipo FET P-Channel - - -
Serie U-MOSII - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 15 V - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Numero di prodotto di base SSM3J14 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Contenitore dispositivo fornitore TSM - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -

SSM3J14TTE85LF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM3J14TTE85LF PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM3J14TTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

PCN Obsolescence/ EOL
EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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