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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSM3J133TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSM3J133TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
SSM3J133TU,LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSM3J133TU,LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-SMD, Flat Leads
Scheda dati
SSM3J133TU,LF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 335100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSM3J133TU,LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J133TU,LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J133TU,LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore UFM  
Serie U-MOSVI  
Rds On (max) a Id, Vgs 29.8mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base SSM3J133  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU,LF

Proprietà del prodotto SSM3J133TU,LF SSM3J135TU,LF SSM3J130TU T5L SSM3J132TU
Modello di prodotti SSM3J133TU,LF SSM3J135TU,LF SSM3J130TU T5L SSM3J132TU
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Numero di prodotto di base SSM3J133 SSM3J135 - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta) 3A (Ta) - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Contenitore dispositivo fornitore UFM UFM - -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V 270 pF @ 10 V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads 3-SMD, Flat Leads - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Serie U-MOSVI U-MOSVI - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 4.5 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 29.8mOhm @ 3A, 4.5V 103mOhm @ 1A, 4.5V - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -

SSM3J133TU,LF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSM3J133TU,LF PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per SSM3J133TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

Packaging PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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