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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoRN1707JE(TE85L,F)
RN1707JE(TE85L,F) Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RN1707JE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
RN1707JE(TE85L,F)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-RN1707JE(TE85L,F)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-553
Scheda dati
RN1707JE(TE85L,F).pdf
In magazzino: 392300

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RN1707JE(TE85L,F)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - RN1707JE(TE85L,F), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - RN1707JE(TE85L,F)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)  
Contenitore dispositivo fornitore ESV  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms  
Resistor - Base (R1) 10kOhms  
Potenza - Max 100mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-553  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base RN1707  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F)

Proprietà del prodotto RN1707JE(TE85L,F) RN1705 RN1706(TE85L) RN1706
Modello di prodotti RN1707JE(TE85L,F) RN1705 RN1706(TE85L) RN1706
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Frequenza - transizione 250MHz - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA - - -
Numero di prodotto di base RN1707 - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA - - -
Serie - - - -
Contenitore / involucro SOT-553 - - -
Resistor - Base (R1) 10kOhms - - -
Contenitore dispositivo fornitore ESV - - -
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V - - -
Potenza - Max 100mW - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RN1707JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
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