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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoRN1422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RN1422TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
RN1422TE85LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-RN1422TE85LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
RN1422TE85LF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 306430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RN1422TE85LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - RN1422TE85LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - RN1422TE85LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA  
Tipo transistor NPN - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore S-Mini  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms  
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms  
Potenza - Max 200 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 300 MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 800 mA  
Numero di prodotto di base RN1422  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage RN1422TE85LF

Proprietà del prodotto RN1422TE85LF RN1417 RN141STE61 RN1426
Modello di prodotti RN1422TE85LF RN1417 RN141STE61 RN1426
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Rohm Semiconductor TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore S-Mini - EMD2 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 800 mA - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Tipo transistor NPN - Pre-Biased - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA - - -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms - - -
Serie - - - -
Potenza - Max 200 mW - - -
Frequenza - transizione 300 MHz - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - SC-79, SOD-523 -
Numero di prodotto di base RN1422 - RN141 -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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