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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloCUS10S30,H3F
CUS10S30,H3F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CUS10S30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
CUS10S30,H3F
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-CUS10S30,H3F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-76, SOD-323
Scheda dati
CUS10S30,H3F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 581500

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CUS10S30,H3F
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - CUS10S30,H3F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - CUS10S30,H3F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 230 mV @ 100 mA  
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore USC  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro SC-76, SOD-323  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 30 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A  
Capacità a Vr, F 135pF @ 0V, 1MHz  
Numero di prodotto di base CUS10S30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30,H3F

Proprietà del prodotto CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS10F30H3F CUS10S30H3F
Modello di prodotti CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS10F30H3F CUS10S30H3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Serie - - - -
Numero di prodotto di base CUS10S30 CUS10S40 - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 30 V 150 µA @ 40 V - -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 230 mV @ 100 mA 400 mV @ 500 mA - -
Contenitore dispositivo fornitore USC USC - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tecnologia Schottky Schottky - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A 1A - -
Contenitore / involucro SC-76, SOD-323 SC-76, SOD-323 - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max) 125°C (Max) - -
Capacità a Vr, F 135pF @ 0V, 1MHz 120pF @ 0V, 1MHz - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V 40 V - -

CUS10S30,H3F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CUS10S30,H3F PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per CUS10S30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage.

Packaging PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Toshiba Semiconductor and Storage
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