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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK3844(Q)
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2SK3844(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
2SK3844(Q)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK3844(Q)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
2SK3844.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK3844(Q)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3844(Q), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3844(Q)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220NIS  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8mOhm @ 23A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta)  
Numero di prodotto di base 2SK3844  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844(Q)

Proprietà del prodotto 2SK3844(Q) 2SK3857TK 2SK3850 K3850 2SK3842(T4LKEHINQ)
Modello di prodotti 2SK3844(Q) 2SK3857TK 2SK3850 K3850 2SK3842(T4LKEHINQ)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora AMI Semiconductor/onsemi TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8mOhm @ 23A, 10V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta) - - -
Numero di prodotto di base 2SK3844 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tipo montaggio Through Hole - - -
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack - - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220NIS - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V - - -
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 10 V - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Pacchetto Bulk - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -

2SK3844(Q) Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SK3844(Q) PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per 2SK3844(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf 2SK3844.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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