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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2SC5200-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SC5200-O(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
2SC5200-O(Q)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-2SC5200-O(Q)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 230V 15A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3PL
Scheda dati
2SC5200-O(Q).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23575

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SC5200-O(Q)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC5200-O(Q), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC5200-O(Q)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 230 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P(L)  
Serie -  
Potenza - Max 150 W  
Contenitore / involucro TO-3PL  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 30MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 5µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 15 A  
Numero di prodotto di base 2SC5200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O(Q)

Proprietà del prodotto 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200RTU
Modello di prodotti 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200RTU
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage onsemi Toshiba Semiconductor and Storage onsemi
Numero di prodotto di base 2SC5200 2SC5200 2SC5200 -
Frequenza - transizione 30MHz 30MHz 30MHz 30MHz
Contenitore / involucro TO-3PL TO-264-3, TO-264AA TO-3P-3, SC-65-3 TO-264-3, TO-264AA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Potenza - Max 150 W 150 W 150 W 150 W
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 5V 80 @ 1A, 5V 80 @ 1A, 5V 55 @ 7A, 5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 230 V 250 V 230 V 250 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 15 A 17 A 15 A 17 A
Corrente - Cutoff collettore (max) 5µA (ICBO) 5µA (ICBO) 5µA (ICBO) 5µA (ICBO)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A 3V @ 800mA, 8A 3V @ 800mA, 8A 3V @ 800mA, 8A
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P(L) TO-264-3 TO-3P(N) TO-264-3

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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