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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1SS307E,L3F
1SS307E,L3F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1SS307E,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
1SS307E,L3F
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-1SS307E,L3F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-79, SOD-523
Scheda dati
1SS307E,L3F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1151700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1SS307E,L3F
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS307E,L3F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS307E,L3F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 100 mA  
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore SC-79  
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Serie -  
Contenitore / involucro SC-79, SOD-523  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 nA @ 80 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 100mA  
Capacità a Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz  
Numero di prodotto di base 1SS307  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F

Proprietà del prodotto 1SS307E,L3F 1SS307(TE85L,F) 1SS305-T1 1SS307(TE85L)
Modello di prodotti 1SS307E,L3F 1SS307(TE85L,F) 1SS305-T1 1SS307(TE85L)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage NEC HITACHI
Tecnologia Standard Standard - -
Contenitore / involucro SC-79, SOD-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 nA @ 80 V 10 nA @ 30 V - -
Capacità a Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz 6pF @ 0V, 1MHz - -
Serie - - - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 100 mA 1.3 V @ 100 mA - -
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 100mA 100mA - -
Numero di prodotto di base 1SS307 1SS307 - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V 30 V - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max) 125°C (Max) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-79 S-Mini - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-1SS307E,L3F

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