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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matrici1SS181,LF
1SS181,LF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1SS181,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
1SS181,LF
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-1SS181,LF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
1SS181,LF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 176460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1SS181,LF
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS181,LF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS181,LF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 100 mA  
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore S-Mini  
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 4 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 nA @ 80 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100mA  
Numero di prodotto di base 1SS181  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181,LF

Proprietà del prodotto 1SS181,LF 1SS181-TP 1SS181(TE85L,F) 1SS184(T5L,M)
Modello di prodotti 1SS181,LF 1SS181-TP 1SS181(TE85L,F) 1SS184(T5L,M)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Micro Commercial Co TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V 80 V - -
Numero di prodotto di base 1SS181 1SS181 - -
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode - -
Contenitore dispositivo fornitore S-Mini SOT-23 - -
Tecnologia Standard Standard - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max) 125°C (Max) - -
Serie - - - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 nA @ 80 V 500 nA @ 80 V - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Tempo di ripristino inverso (trr) 4 ns 4 ns - -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100mA 100mA (DC) - -
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 100 mA 1.2 V @ 100 mA - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -

1SS181,LF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1SS181,LF PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per 1SS181,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

Packaging PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Toshiba Semiconductor and Storage
32D-1SS181,LF

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