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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM4NB65CH
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM4NB65CH - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM4NB65CH
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM4NB65CH
Modello ECAD
Descrizione delle parti
650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
TSM4NB65.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM4NB65CH
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4NB65CH, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4NB65CH

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.37Ohm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 549 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.46 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
Numero di prodotto di base TSM4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CH

Proprietà del prodotto TSM4NB65CH TSM4NB60CI TSM4NB60CP TSM500N03CP ROG
Modello di prodotti TSM4NB65CH TSM4NB60CI TSM4NB60CP TSM500N03CP ROG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Rds On (max) a Id, Vgs 3.37Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V 50mOhm @ 8A, 10V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 25W (Tc) 50W (Tc) 12.5W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base TSM4 TSM4 TSM4 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 549 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.46 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK) ITO-220 TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 30 V
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 12.5A (Tc)
Caratteristica FET - - - -

TSM4NB65CH Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM4NB65CH PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM4NB65CH - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM4NB65.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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