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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTSM4925DCS
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM4925DCS - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM4925DCS
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM4925DCS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
-30V, -7.1A, DUAL P-CHANNEL POWE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
TSM4925D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24778

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM4925DCS
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4925DCS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4925DCS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V  
Potenza - Max 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V  
Caratteristica FET Standard  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel  
Numero di prodotto di base TSM4925  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM4925DCS

Proprietà del prodotto TSM4925DCS TSM4953DCS TSM4953DCS RLG TSM4936DCS
Modello di prodotti TSM4925DCS TSM4953DCS TSM4953DCS RLG TSM4936DCS
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Potenza - Max 2W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W 3W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V 745pF @ 15V 745pF @ 15V 610pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V 28nC @ 10V 28nC @ 10V 13nC @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V 60mOhm @ 4.9A, 10V 60mOhm @ 4.9A, 10V 36mOhm @ 5.9A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta) 4.9A (Ta) 4.9A (Ta) 5.9A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Numero di prodotto di base TSM4925 TSM4953 TSM4953 TSM4936
Caratteristica FET Standard Standard - Standard
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione 2 P-Channel 2 P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel

TSM4925DCS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM4925DCS PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM4925DCS - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM4925D.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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