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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM4459CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM4459CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM4459CS RLG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM4459CS RLG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CHANNEL 30V 17A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
TSM4459CS RLG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM4459CS RLG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4459CS RLG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4459CS RLG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.2mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6205 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78.4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM4459CS RLG

Proprietà del prodotto TSM4459CS RLG TSM4806CS RLG TSM4436CS TSM4436CS RLG
Modello di prodotti TSM4459CS RLG TSM4806CS RLG TSM4436CS TSM4436CS RLG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78.4 nC @ 4.5 V 12.3 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 10.5 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta) 28A (Ta) 8A (Ta) 8A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6205 pF @ 15 V 961 pF @ 15 V 1100 pF @ 30 V 1100 pF @ 30 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.2mOhm @ 9A, 10V 20mOhm @ 20A, 4.5V 36mOhm @ 4.6A, 10V 36mOhm @ 4.6A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 60 V 60 V

TSM4459CS RLG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM4459CS RLG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM4459CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 3/Aug/2018.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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