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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM2308CX RFG
TSM2308CX RFG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM2308CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM2308CX RFG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM2308CX RFG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
TSM2308.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 97370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM2308CX RFG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2308CX RFG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2308CX RFG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 156mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 511 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  
Numero di prodotto di base TSM2308  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM2308CX RFG

Proprietà del prodotto TSM2308CX RFG TSM2305CX RFG TSM2306CX RFG TSM230N06CP
Modello di prodotti TSM2308CX RFG TSM2305CX RFG TSM2306CX RFG TSM230N06CP
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 3.2A (Ta) 3.5A (Ta) 50A (Tc)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 5.5 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Numero di prodotto di base TSM2308 TSM2305 TSM2306 TSM230
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 53W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 20 V 30 V 60 V
Rds On (max) a Id, Vgs 156mOhm @ 3A, 10V 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 57mOhm @ 3.5A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 511 pF @ 15 V 990 pF @ 10 V 555 pF @ 15 V 1680 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 SOT-23 SOT-23 TO-252, (D-Pak)

TSM2308CX RFG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM2308CX RFG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM2308CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM2308.pdf

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Europa Germania 5
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