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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM2306CX RFG
TSM2306CX RFG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM2306CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM2306CX RFG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM2306CX RFG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
TSM2306.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 188930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM2306CX RFG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2306CX RFG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2306CX RFG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base TSM2306  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306CX RFG

Proprietà del prodotto TSM2306CX RFG TSM2308CX RFG TSM2303CX RFG TSM230N06CP
Modello di prodotti TSM2306CX RFG TSM2308CX RFG TSM2303CX RFG TSM230N06CP
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V 511 pF @ 15 V 565 pF @ 10 V 1680 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 60 V
Numero di prodotto di base TSM2306 TSM2308 TSM2303 TSM230
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 700mW (Ta) 53W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 3A (Ta) 1.3A (Ta) 50A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V 156mOhm @ 3A, 10V 180mOhm @ 1.3A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 SOT-23 SOT-23 TO-252, (D-Pak)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -

TSM2306CX RFG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM2306CX RFG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM2306CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM2306.pdf

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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