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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM2301BCX RFG
TSM2301BCX RFG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM2301BCX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM2301BCX RFG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM2301BCX RFG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
TSM2301BCX RFG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5300

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM2301BCX RFG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301BCX RFG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301BCX RFG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 415 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301BCX RFG

Proprietà del prodotto TSM2301BCX RFG TSM210N02CX TSM2302CX RFG TSM2303CX RFG
Modello di prodotti TSM2301BCX RFG TSM210N02CX TSM2302CX RFG TSM2303CX RFG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 415 pF @ 6 V 600 pF @ 10 V 587 pF @ 10 V 565 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±10V ±8V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA 0.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc) 6.7A (Tc) 3.9A (Tc) 1.3A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 21mOhm @ 4A, 4.5V 65mOhm @ 3.2A, 4.5V 180mOhm @ 1.3A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 5.8 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta) 1.56W (Tc) 1.5W (Tc) 700mW (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

TSM2301BCX RFG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM2301BCX RFG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM2301BCX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 3/Aug/2018.pdf

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Europa Germania 5
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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