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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM042N03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM042N03CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM042N03CS RLG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM042N03CS RLG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
TSM042N03CS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 53660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM042N03CS RLG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM042N03CS RLG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM042N03CS RLG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 7W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base TSM042  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG

Proprietà del prodotto TSM042N03CS RLG TSM05N03CW RPG TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56
Modello di prodotti TSM042N03CS RLG TSM05N03CW RPG TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 7 nC @ 5 V 11.1 nC @ 4.5 V 50 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base TSM042 TSM05 TSM055 TSM036
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 5A (Ta) 80A (Tc) 22A (Ta), 124A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 12A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 3.6mOhm @ 22A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 7W (Tc) 3W (Ta) 74W (Tc) 2.6W (Ta), 83W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP SOT-223 8-PDFN (5x5.8) 8-PDFN (5x6)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 555 pF @ 15 V 1210 pF @ 25 V 2530 pF @ 15 V
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

TSM042N03CS RLG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM042N03CS RLG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM042N03CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM042N03CS.pdf

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