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New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
Nord America
United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBR25100CT
MBR25100CT Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MBR25100CT - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
MBR25100CT
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR25100CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
MBR2535CT - MBR25150CT.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3800

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR25100CT
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - MBR25100CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - MBR25100CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 25 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 25A  
Numero di prodotto di base MBR25100  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation MBR25100CT

Proprietà del prodotto MBR25100CT MBR2535CT MBR2535CT MBR240LSFT1G
Modello di prodotti MBR25100CT MBR2535CT MBR2535CT MBR240LSFT1G
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Fairchild Semiconductor Diodes Incorporated MSV
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 100 V 200 µA @ 35 V 200 µA @ 35 V -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -
Numero di prodotto di base MBR25100 MBR2535 MBR2535 -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 25A 25A 30A -
Tecnologia Schottky Schottky Schottky -
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Pacchetto Tube Bulk Tube -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Serie - - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 35 V 35 V -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 25 A 820 mV @ 25 A 820 mV @ 30 A -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220-3 TO-220-3 -

MBR25100CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR25100CT PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per MBR25100CT - Taiwan Semiconductor Corporation.

Numero parte PCN
Part Number Update 1/Jan/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Schede tecniche
MBR2535CT - MBR25150CT.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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    +00852 9146 4856

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