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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBR20H150CT
MBR20H150CT Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MBR20H150CT - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
MBR20H150CT
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR20H150CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
MBR20H100CT, 150CT, 200CT.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 59220

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR20H150CT
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - MBR20H150CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - MBR20H150CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 970 mV @ 20 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 150 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 150 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 20A  
Numero di prodotto di base MBR20  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H150CT

Proprietà del prodotto MBR20H150CT MBR20H100CT-E1 MBR20H200CT MBR20H100CTG
Modello di prodotti MBR20H150CT MBR20H100CT-E1 MBR20H200CT MBR20H100CTG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Diodes Incorporated Taiwan Semiconductor Corporation onsemi
Serie - - - SWITCHMODE™
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 150 V 100 V 200 V 100 V
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 20A 10A 20A 10A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220-3 TO-220AB TO-220
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 150 V 4.5 µA @ 100 V 5 µA @ 200 V 4.5 µA @ 100 V
Numero di prodotto di base MBR20 - MBR20 MBR20H100
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 970 mV @ 20 A 770 mV @ 10 A 970 mV @ 20 A 770 mV @ 10 A

MBR20H150CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR20H150CT PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per MBR20H150CT - Taiwan Semiconductor Corporation.

Numero parte PCN
Part Number Update 1/Jan/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Schede tecniche
MBR20H100CT, 150CT, 200CT.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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MBR20H150CT

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