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DBL205G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DBL205G - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
DBL205G
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-DBL205G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
DBL201G - DBL209.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 104420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DBL205G
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - DBL205G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - DBL205G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Tensione - Picco inversa (max) 600 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.15 V @ 2 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DBL  
Serie -  
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 2 A  
Numero di prodotto di base DBL205  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation DBL205G

Proprietà del prodotto DBL205G DBL107G DBL107 DBL105G
Modello di prodotti DBL205G DBL107G DBL107 DBL105G
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Yangjie Technology Taiwan Semiconductor Corporation
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.15 V @ 2 A 1.1 V @ 1 A - 1.1 V @ 1 A
Numero di prodotto di base DBL205 - - DBL105
Tecnologia Standard Standard - Standard
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore DBL DBL - DBL
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 600 V 2 µA @ 1000 V - 2 µA @ 600 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione - Picco inversa (max) 600 V 1 kV - 600 V
Tipo diodo Single Phase Single Phase - Single Phase
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) - 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Corrente - raddrizzata media (Io) 2 A 1 A - 1 A

DBL205G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DBL205G PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per DBL205G - Taiwan Semiconductor Corporation.

Numero parte PCN
Part Number Update 1/Jan/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Schede tecniche
DBL201G - DBL209.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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    +00852 9146 4856

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DBL205G

Taiwan Semiconductor Corporation
32D-DBL205G

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