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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N4150
2N4150 Image
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2N4150 - Solid State Inc.

fabbricante Modello di prodotti
2N4150
fabbricante
Solid State Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2N4150
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 80V 10A TO39
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Scheda dati
2N4150.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7213

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N4150
Specifiche tecniche Solid State Inc. - 2N4150, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Solid State Inc. - 2N4150

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Solid State Inc.  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 1A, 10A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-39  
Serie -  
Potenza - Max 5 W  
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 200°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Solid State Inc. 2N4150

Proprietà del prodotto 2N4150 2N4150 2N4126TA 2N4125TA
Modello di prodotti 2N4150 2N4150 2N4126TA 2N4125TA
fabbricante Solid State Inc. Microchip Technology onsemi onsemi
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 70 V 25 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-39 TO-5AA TO-92-3 TO-92-3
temperatura di esercizio 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 5 W 1 W 625 mW 625 mW
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Box (TB) Tape & Box (TB)
Frequenza - transizione - - 250MHz -
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 10 A 200 mA 200 mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 5V 50 @ 1A, 5V 120 @ 2mA, 1V 50 @ 2mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA 10µA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Tipo transistor NPN NPN PNP PNP
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AA, TO-5-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 1A, 10A 2.5V @ 1A, 10A 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA

2N4150 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N4150 PDF e la documentazione Solid State Inc. per 2N4150 - Solid State Inc..

Schede tecniche
2N4150.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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