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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N1711
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N1711 - Solid State Inc.

fabbricante Modello di prodotti
2N1711
fabbricante
Solid State Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2N1711
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 130V 1A TO39
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Scheda dati
2N1711.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 88420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N1711
Specifiche tecniche Solid State Inc. - 2N1711, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Solid State Inc. - 2N1711

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Solid State Inc.  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 130 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 15mA, 150mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-39  
Serie -  
Potenza - Max 800 mW  
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Box  
temperatura di esercizio 200°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 70MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Solid State Inc. 2N1711

Proprietà del prodotto 2N1711 2N1724 2N1700 2N1700
Modello di prodotti 2N1711 2N1724 2N1700 2N1700
fabbricante Solid State Inc. Microchip Technology Harris Corporation Microchip Technology
Pacchetto Box Bulk Bulk Bulk
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 10nA 300µA - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 15mA, 150mA 600mV @ 200mA, 2A - -
temperatura di esercizio 200°C (TJ) 175°C - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-39 TO-61 - -
Tipo montaggio Through Hole Stud Mount - -
Potenza - Max 800 mW 3 W - -
Frequenza - transizione 70MHz - - -
Tipo transistor NPN NPN - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 30 @ 2A, 15V - -
Serie - - * *
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 130 V 80 V - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A 5 A - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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2N1711

Solid State Inc.
32D-2N1711

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