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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N1200R
1N1200R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1N1200R - Solid State Inc.

fabbricante Modello di prodotti
1N1200R
fabbricante
Solid State Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-1N1200R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AA, DO-4, Stud
Scheda dati
1N1(1,2)xx.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18362

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N1200R
Specifiche tecniche Solid State Inc. - 1N1200R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Solid State Inc. - 1N1200R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Solid State Inc.  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 30 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Standard, Reverse Polarity  
Contenitore dispositivo fornitore DO-4  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud  
Pacchetto Box  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 200°C  
Tipo montaggio Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A  
Capacità a Vr, F -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Solid State Inc. 1N1200R

Proprietà del prodotto 1N1200R 1N1200A 1N1200A 1N1201B
Modello di prodotti 1N1200R 1N1200A 1N1200A 1N1201B
fabbricante Solid State Inc. GeneSiC Semiconductor Microchip Technology Solid State Inc.
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2 V @ 30 A 1.1 V @ 12 A 1.2 V @ 30 A 1.2 V @ 30 A
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A 12A 12A 12A
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C
Contenitore dispositivo fornitore DO-4 DO-4 DO-4 (DO-203AA) DO-4
Capacità a Vr, F - - - -
Pacchetto Box Bulk Bulk Box
Tecnologia Standard, Reverse Polarity Standard Standard Standard
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V 10 µA @ 50 V 10 µA @ 100 V 10 µA @ 150 V
Tipo montaggio Stud Mount Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 150 V
Serie - - - -

1N1200R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N1200R PDF e la documentazione Solid State Inc. per 1N1200R - Solid State Inc..

Schede tecniche
1N1(1,2)xx.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-1N1200R

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