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GP1S39 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GP1S39 - Sharp Microelectronics

fabbricante Modello di prodotti
GP1S39
fabbricante
Sharp Microelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-GP1S39
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PCB Mount
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
In magazzino: 4290

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GP1S39
Specifiche tecniche Sharp Microelectronics - GP1S39, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sharp Microelectronics - GP1S39

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sharp Microelectronics  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 35 V  
Digitare Unamplified  
Serie -  
Metodo di rilevazione Through-Beam  
Distanza di rilevamento 0.059' (1.5mm)  
Tempo di risposta 50µs, 50µs  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro PCB Mount  
Pacchetto Bulk  
Configurazione di uscita Phototransistor  
temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - DC Forward (If) (Max) 50 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 20 mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sharp Microelectronics GP1S39

Proprietà del prodotto GP1S39 GP1S51VJ000F GP1S39J0000F GP1S396HCPSF
Modello di prodotti GP1S39 GP1S51VJ000F GP1S39J0000F GP1S396HCPSF
fabbricante Sharp Microelectronics SHARP/Socle Technology Sharp Microelectronics SHARP/Socle Technology
Serie - - - -
Contenitore / involucro PCB Mount PCB Mount PCB Mount Module
Corrente - collettore (Ic) (max) 20 mA 20 mA 20 mA 20 mA
Tempo di risposta 50µs, 50µs 3µs, 4µs 50µs, 50µs 30µs
Metodo di rilevazione Through-Beam Through-Beam Through-Beam Through-Beam
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 35 V 35 V 35 V 35 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Distanza di rilevamento 0.059' (1.5mm) 0.118' (3mm) 0.059' (1.5mm) 0.047' (1.2mm)
Corrente - DC Forward (If) (Max) 50 mA 50 mA 50 mA 30 mA
temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Digitare Unamplified Unamplified Unamplified -
Configurazione di uscita Phototransistor Phototransistor Phototransistor NPN - Open Collector

GP1S39 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GP1S39 PDF e la documentazione Sharp Microelectronics per GP1S39 - Sharp Microelectronics.

Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Sharp Microelectronics
32D-GP1S39

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