Specifiche tecnologiche GBU810
Specifiche tecniche SMC Diode Solutions - GBU810, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad SMC Diode Solutions - GBU810
| Proprietà del prodotto | Valori degli attributi | |
|---|---|---|
| fabbricante | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Tensione - Picco inversa (max) | 1 kV | |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.1 V @ 8 A | |
| Tecnologia | Standard | |
| Contenitore dispositivo fornitore | GBU | |
| Serie | - | |
| Contenitore / involucro | 4-ESIP |
| Proprietà del prodotto | Valori degli attributi | |
|---|---|---|
| Pacchetto | Tube | |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo montaggio | Through Hole | |
| Tipo diodo | Single Phase | |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 8 A | |
| Numero di prodotto di base | GBU810 |
Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di SMC Diode Solutions GBU810
| Proprietà del prodotto |  |
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|---|---|---|---|---|
| Modello di prodotti | GBU810 | GBU806 | GBU806 | GBU808 |
| fabbricante | SMC Diode Solutions | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| Contenitore dispositivo fornitore | GBU | GBU | GBU | GBU |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 800 V |
| Pacchetto | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 4 A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| Numero di prodotto di base | GBU810 | GBU806 | GBU806 | - |
| Contenitore / involucro | 4-ESIP | 4-ESIP | 4-SIP, GBU | 4-ESIP, GBU |
| Tensione - Picco inversa (max) | 1 kV | 600 V | 600 V | 800 V |
| Tecnologia | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Tipo montaggio | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Serie | - | - | - | - |
| Tipo diodo | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
Scarica la scheda tecnica GBU810 PDF e la documentazione SMC Diode Solutions per GBU810 - SMC Diode Solutions.
GBU806SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
GBU8D-E3/72Electro-Films (EFI) / VishayGBU806Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
GBU806-TULITEONGBU808Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 8A GBUGBU808SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
GBU806Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
GBU8K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBUGBU810Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBUGBU8J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBUGBU8J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBUGBU806Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 8A GBUGBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A GBUGBU808Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
GBU8J-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBUGBU810_HFLITEON
GBU806HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBU807Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico | ||
|---|---|---|
| Regione | Paese | Tempo logistico (giorno) |
| America | stati Uniti | 5 |
| Brasile | 7 | |
| Europa | Germania | 5 |
| Regno Unito | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceania | Australia | 6 |
| Nuova Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Giappone | 4 | |
| Medio Oriente | Israele | 6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento | |
|---|---|
| Accuse di spedizione (kg) | Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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