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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloGPA020A135MN-FD
SemiQ
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GPA020A135MN-FD - SemiQ

fabbricante Modello di prodotti
GPA020A135MN-FD
fabbricante
SemiQ
Allelco Modello di prodotti
32D-GPA020A135MN-FD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
GPA020A135MN-FD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche GPA020A135MN-FD
Specifiche tecniche SemiQ - GPA020A135MN-FD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad SemiQ - GPA020A135MN-FD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante SemiQ  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1350 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.3V @ 15V, 20A  
Condizione di test 600V, 20A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 25ns/175ns  
di scambio energetico 2.5mJ (on), 760µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 425 ns  
Potenza - Max 223 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
carica gate 180 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 60 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 40 A  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di SemiQ GPA020A135MN-FD

Proprietà del prodotto GPA020A135MN-FD IRG4BC40UPBF IXYH50N120C3D1 GPA020A120MN-FD
Modello di prodotti GPA020A135MN-FD IRG4BC40UPBF IXYH50N120C3D1 GPA020A120MN-FD
fabbricante SemiQ International Rectifier IXYS SemiQ
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3
Potenza - Max 223 W 160 W 625 W 223 W
Tempo di ripristino inverso (trr) 425 ns - 195 ns 425 ns
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1350 V 600 V 1200 V 1200 V
Tipo IGBT Trench Field Stop - - Trench Field Stop
Td (on / off) @ 25 ° C 25ns/175ns 34ns/110ns 28ns/133ns 30ns/150ns
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-220AB TO-247 (IXTH) TO-3PN
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - GenX3™, XPT™ -
Corrente - collettore (Ic) (max) 40 A 40 A 90 A 40 A
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.3V @ 15V, 20A 2.1V @ 15V, 20A 4V @ 15V, 50A 2.5V @ 15V, 20A
di scambio energetico 2.5mJ (on), 760µJ (off) 320µJ (on), 350µJ (off) 3mJ (on), 1mJ (off) 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Condizione di test 600V, 20A, 10Ohm, 15V 480V, 20A, 10Ohm, 15V 600V, 50A, 5Ohm, 15V 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 60 A 160 A 210 A 60 A
carica gate 180 nC 150 nC 142 nC 210 nC

GPA020A135MN-FD Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GPA020A135MN-FD PDF e la documentazione SemiQ per GPA020A135MN-FD - SemiQ.

PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Schede tecniche
GPA020A135MN-FD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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