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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloGP2M005A050PG
GP2M005A050PG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GP2M005A050PG - Global Power Technologies Group

fabbricante Modello di prodotti
GP2M005A050PG
fabbricante
SemiQ
Allelco Modello di prodotti
32D-GP2M005A050PG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
GP2M005A050CG, PG.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 4680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche GP2M005A050PG
Specifiche tecniche Global Power Technologies Group - GP2M005A050PG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Global Power Technologies Group - GP2M005A050PG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante SemiQ  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 98.4W (Tc)  
imballaggio Tube  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Altri nomi 1560-1198-1
1560-1198-1-ND
1560-1198-5
 
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500V  
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 4.5A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-PAK  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Global Power Technologies Group GP2M005A050PG

Proprietà del prodotto GP2M005A050PG GP2S24J0000F GP2D12J0000F GP2S24BJ000F
Modello di prodotti GP2M005A050PG GP2S24J0000F GP2D12J0000F GP2S24BJ000F
fabbricante Global Power Technologies Group Sharp Microelectronics Sharp Microelectronics Sharp Microelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V - - -
Dissipazione di potenza (max) 98.4W (Tc) - - -
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA PCB Mount - PCB Mount
Tipo FET N-Channel - - -
imballaggio Tube - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 85°C -10°C ~ 60°C (TA) -25°C ~ 85°C
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc) - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA - - -
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 4.5A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-PAK - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500V - - -
Altri nomi 1560-1198-1
1560-1198-1-ND
1560-1198-5
- - -

GP2M005A050PG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GP2M005A050PG PDF e la documentazione Global Power Technologies Group per GP2M005A050PG - Global Power Technologies Group.

Specifiche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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