Specifiche
Specifiche tecnologiche GDP30P120B
Specifiche tecniche Global Power Technologies Group - GDP30P120B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Global Power Technologies Group - GDP30P120B
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
SemiQ |
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| Tensione - Picco inversa (max) |
Silicon Carbide Schottky |
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| Tensione - diretta (Vf) (max) a If |
81A |
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| Tensione - Ripartizione |
TO-247-2 |
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| Serie |
Amp+™ |
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| Stato RoHS |
Tube |
|
| Tempo di ripristino inverso (trr) |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
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| Resistenza a If, F |
1790pF @ 1V, 1MHz |
|
| Polarizzazione |
TO-247-2 |
|
| Altri nomi |
1560-1024-5 |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione |
0ns |
|
| Tipo montaggio |
Through Hole |
|
| Livello di sensibilità umidità (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| codice articolo del costruttore |
GDP30P120B |
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| Descrizione espansione |
Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 81A Through Hole TO-247-2 |
|
| Configurazione diodo |
100µA @ 1200V |
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| Descrizione |
DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2 |
|
| Corrente - Dispersione inversa a Vr |
1.7V @ 30A |
|
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) |
1200V (1.2kV) |
|
| Capacità a Vr, F |
-55°C ~ 135°C |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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GDPXA255A0E400Marvell Semiconductor, Inc.
SDM02M30LP3-7BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2-XFDFN
RB055L-60TE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDS
BYT54K-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1.25A SOD57
ESH1C-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
GDPXA255A0E200Intel
PMEG2010BEA,115Nexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
HFA15TB60PBFInternational RectifierDIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
V8P10HM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
ER3GA_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A SMB